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高功率 650/800 V 额定 GaN 模块具有低导通电阻、高效率,中国建材网,cnprofit.com
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高功率 650/800 V 额定 GaN 模块具有低导通电阻、高效率
2022年05月12日    阅读量:3080    新闻来源:中国建材网 cnprofit.com  |  投稿

Navitas Semiconductor 宣布推出NV6169,这是一款采用 GaNSense 技术的新型高功率 650/800 V 额定 GaNFast 电源 IC,可满足更高功率应用,例如 400-1000 W 4K/8K 电视和显示器、下一代游戏系统、500 W 太阳能微型逆变器、1.2 kW 数据中心 SMPS 和高达 4 kW / 5 hp 的电机驱动器。


GaN 是下一代功率半导体技术,运行速度比传统硅快 20 倍。与传统的硅充电器相比,氮化镓充电器可以实现 3 倍的功率或 3 倍的充电速度,同时节能高达 40%,而尺寸和重量仅为传统硅解决方案的一半中国机械网okmao.com。采用 GaNSense 技术的 GaNFast 电源 IC 集成了电源、驱动和控制,具有额外的自主保护和无损电流感应,可提供最简单、最小、最快且现在甚至更高的功率性能。

45 mOhms NV6169 采用行业标准、扁平、低电感、8 x 8 mm PQFN 封装,导通电阻 (RDS(ON)) 降低 36%,功率比之前的设计高 50%高效率、高密度的电力系统。


NV6169 是最先进的第三代集成 GaN 平台中额定功率最高的 IC。采用 GaNSense 技术的 GaNFast 功率 IC 具有 GaN 行业首创的特性,例如无损电流感应和世界上最快的短路保护,“检测到保护”速度仅为 30 ns,比分立解决方案快 6 倍。在电机驱动应用中,与硅 IGBT 相比,GaN IC 可节省高达 40% 的能源,消除 30 个外部组件,并将系统效率提高 8%。


与竞争解决方案不同,NV6169 额定工作电压为 650V,额定工作电压为 800V,峰值额定电压为 800V,可在瞬态事件期间稳定工作。作为真正的集成电源 IC,GaN 栅极受到全面保护,整个器件的额定静电放电 (ESD) 规格为业界领先的 2 kV。


NV6169 可根据 NDA 立即提供给客户。批量生产的交货时间目前为 6 至 16 周。设计人员可以使用仿真模型 (PSPICE/LTSPICE/SiMetrix)、3D 封装模型 (STP) 和应用说明 (AN-0016) 来优化下一代系统。


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